
在现代电子系统中,二极管的选择直接影响系统的能效、稳定性与寿命。齐纳二极管与肖特基二极管虽同属半导体器件,但在材料、结构与工作模式上存在根本区别。本篇内容将从材料基础、热特性、可靠性等维度展开深度探讨。
齐纳二极管通常采用掺杂浓度较高的硅材料,通过控制PN结厚度实现特定击穿电压。其结构为标准PN结,适合在反向偏置下工作。
肖特基二极管采用金属(如铝、铂)与N型硅形成的肖特基势垒,无P-N结结构,因此不存在少数载流子存储效应,从而实现极快的开关速度。
由于齐纳二极管在反向击穿状态下会持续耗散功率,其额定功耗较低(常见500mW–1W),需配合限流电阻使用,否则易因过热损坏。
相比之下,肖特基二极管虽然导通压降低,但反向漏电流随温度升高而显著增加,高温环境下需注意散热设计与降额使用。
综合来看:
合理搭配使用两种二极管,可在复杂系统中实现性能与成本的双重优化。
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